技术编号：14921569
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及静态随机存取存储器(SRAM)阵列的领域，并且更具体地涉及SRAM阵列中的写入复制路径，以使用小于SRAM阵列的最小操作电压的电源电压来跟踪写入操作的持续时间。背景技术在静态随机存取存储器(SRAM)阵列中，使用写入复制路径来跟踪SRAM阵列中的实际写入时间的持续时间。这个跟踪用于生成用于在操作和访问SRAM阵列时使用的控制信号。期望这个持续时间跟踪尽可能一致和不变，以提供合适的SRAM性能。这在其中器件操作电压小于SRAM阵列所需的操作电压的低电压应用中尤其重要。在这些情况下，传统的...
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