技术编号：15457841
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及物理气相沉积技术领域，具体为一种多晶硅薄膜低温物理气相沉积装置。背景技术物理气相沉积技术表示在真空条件下，采用物理方法，将材料源，固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积的主要方法有，真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜，及分子束外延等。然而现有的物理气相沉积装置，不能同时处理多个沉积材料，根据不同材料的大小，固定起来比较麻烦，不能对材料进行双面沉积。针对上述问题，急需在原有物...
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