技术编号:15457849
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及气体供给装置、气体供给方法和成膜方法。背景技术在制造LSI时,与MOSFET栅极电极、源极·漏极的接触器、存储器的字线等中广泛使用钨膜。作为钨膜的成膜方法,已知对配置在处理容器内的基片,多次交替地供给作为原料气体的六氯化钨(WCl6)气体和作为还原气体的H2气体的、所谓的原子层沉积(ALD)法(例如参照专利文献1)。另外,作为原料气体的WCl6气体通过使收纳在成膜原料罐内的作为固体原料的WCl6升华而生成。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2016-145409号公报发明内容发明...
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