技术编号:15656493
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,具体涉及半导体晶元薄膜制程蚀刻工艺铝件的再生方法。背景技术晶元是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之IC产品。在晶元生产过程中,需要对各部件进行再生处理。晶元铝件结构一般较为简单,多为板状,但是不宜采用冲洗的方法进行再生。因此,需要一种半导体晶元薄膜制程蚀刻工艺铝件的物理再生方法。发明内容为解决上述存在的问题,本发明的目的在于提供一种半导体晶元薄膜制程蚀刻工艺铝件的再生方法。其利用铝热膨胀...
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