技术编号：16515174
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种应用于MEMS(微机电系统)器件的TiN(氮化钛)薄膜刻蚀方法。背景技术由于TiN薄膜特有的物理电学性质，使其在半导体制作过程中被广泛应用。目前TiN薄膜采用PVD(物理气相沉积)工艺方法形成，只能满足大尺寸通孔填充，而对于小尺寸通孔无法满足其台阶覆盖率；所以经常会采用CVD(化学气相沉积)工艺方法来弥补这一缺陷。目前采用CVD方法形成TiN薄膜之前，都需加一层采用PVD工艺方法形成一层Ti(钛)薄膜作为粘结层。由于TiN和Ti具有不同特性，在后续湿法...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。