技术编号：16541569
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种MEMS电极结构。本发明还涉及一种MEMS电极结构的制造方法。背景技术如图1A至图1E所示，是现有MEMS电极结构的制造方法各步骤中的器件结构图；现有MEMS电极结构的制造方法包括如下步骤：步骤一、如图1A所示，提供一表面平坦的半导体衬底101；如图1B所示，在所述半导体衬底101的表面形成非晶硅层102。步骤二、如图1C所示，采用光刻加刻蚀工艺对所述非晶硅层102进行图形化形成非晶硅图形层102；可以看出，非晶硅图形层102具有台阶结构。非晶硅图...
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