技术编号:18225618
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种TDICMOS成像单元的设计方法,具体涉及一种尺寸受限环境下高可靠应用的TDICMOS成像单元的设计方法。背景技术对于电荷域TDICMOS成像设计,探测器内部不光包含有TDICCD探测器的感光部分和电荷转移的栅极,而且还包含了相关双采样及数模转换电路、时序产生器、偏置、SPI寄存器和LVDS接收和发送器等,功能部分繁多。由于TDICMOS探测器的功能部分繁多,TDICMOS成像设计复杂,需要仔细设计检查,方可保证稳定可靠地工作。发明内容本发明为解决现有TDICMOS成像单元设计复杂...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。