技术编号：21281254
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于模拟集成电路技术领域，具体涉及一种变斜率放电驱动电路。背景技术有源控制栅驱动电路是半桥应用(如同步buck变换器)的核心电路之一，直接影响开关电源工作的可靠性和性能指标。对于高侧功率管而言，n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nmosfet)相较于p型金属氧化物半导体场效应晶体管(pmosfet)拥有更高的驱动效率高、更小的器件面积，所以nmosfet更适合作为功率晶体管。针对功率应用，尤其是大功率应用，系统驱动中存在较大的dv/dt和di/dt，emi辐射较为严重，且容易引起串扰问题。...
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