技术编号:22243892
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及激光气体管理系统、电子器件的制造方法和准分子激光系统的控制方法。背景技术近年来,在半导体曝光装置(以下称为“曝光装置”)中,随着半导体集成电路的微细化和高集成化,要求分辨率的提高。因此,从曝光用光源放出的光的短波长化得以发展。一般而言,在曝光用光源中代替现有的汞灯而使用气体激光装置。例如,作为曝光用的气体激光装置,使用输出波长为248nm的紫外线的激光的krf准分子激光装置、以及输出波长为193nm的紫外线的激光的arf准分子激光装置。作为下一代的曝光技术,曝光装置侧的曝光用透镜与晶片...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。