技术编号：22246556
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及光通信技术领域，尤其涉及一种光栅式的面入射型光探测器。背景技术高性能的光探测器(photodetector)是高速光通讯的核心器件之一，面入射型光接收器件对于空间光或者低功率接收有很大的优势。但是随着带宽的需求越来越高，由于光探测器的带宽更多地受rc时间常数的限制，更高的速度可以通过优化金属与半导体接触面的接触电阻来提升带宽。目前，可在波导式(waveguide-based)的光探测器中采用单晶硅接触(si-contact)来取代锗接触(ge-contact)，降低金属与半导体接触面的...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。