化学机械研磨后(POST CMP)清洁组合物的制作方法技术资料下载

技术编号:25541850

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本发明大体上涉及用于自上面具有残留物和/或污染物的微电子装置清洁残留物和/或污染物的组合物。背景技术将微电子装置芯片用于形成集成电路。微电子装置芯片包括例如硅的衬底,在其中区域经图案化用以沉积具有绝缘、导电或半导电的特性的不同材料。为获得恰当的图案化,必须移除用于在衬底上形成层的过量材料。此外,为制造功能性的且可靠的电路,在后续加工之前制备平整或平坦的微电子芯片表面很重要。因此,必需平坦化和/或研磨微电子装置芯片的某些表面。化学机械研磨或平坦化(“cmp”)为自微电子装置芯片的表面移除材料的工艺...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。

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