技术编号：25544016
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种陶瓷件及其制作方法。背景技术在诸如电感耦合等离子体(inductivecoupledplasma，简称icp)刻蚀设备等的半导体加工设备中，通常利用介质窗将由电感线圈产生的射频能量馈入工艺腔室中，以能够将工艺腔室中的工艺气体激发形成等离子体，从而实现对晶圆的刻蚀。上述介质窗通常为陶瓷窗。在进行刻蚀工艺的过程中，工艺腔室中产生的刻蚀副产物会在陶瓷窗表面附着，当附着在陶瓷窗上的副产物累积达到一定厚度后会在重力的作用下脱落，而掉落在晶圆表面上的颗粒会阻挡刻蚀的...
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