技术编号：25544045
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本文涉及但不限于一种多层金属覆膜氮化硅陶瓷基板，尤其涉及但不限于一种利用大气等离子喷涂技术制备氮化硅陶瓷基板金属合金电路及金属化方法。背景技术随着第三代功率芯片(如sic、gan)制备技术的成熟，功率器件对陶瓷覆铜基板的散热能力和可靠性的要求越来越高。si3n4具有理论热导率高，高强度、高硬度、高电阻率、良好的抗热震性、低介电损耗和低膨胀系数等特点，被认为是一种很有潜力的高速电路和大功率器件散热和封装材料。现阶段，将高热导率氮化硅陶瓷用于电子器件的基板材料仍是一大难题。其中，如何高效金属化氮化硅...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。