技术编号:25544105
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体器件制造领域,尤其涉及一种抽气装置、抽气方法以及多腔等离子体处理器。背景技术在半导体器件的制备过程中,可以在真空环境下对器件进行处理,例如半导体器件中薄膜的形成、对薄膜的等离子体刻蚀等,因此对半导体器件进行处理时,半导体器件可以置于腔体中,腔体通常会连接抽气装置而实现真空,从而为半导体器件提供真空环境。目前,可以为多个腔体配置一套抽气装置,从而同时为多个腔体提供真空环境,具体的,多个腔体可以分别与中空的混合腔连接,混合腔连接摆阀,摆阀与真空泵连接,在摆阀具有一定开度时,真空泵可以...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。