技术编号：26589822
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种基于自对准工艺的条形沟槽结构gan垂直肖特基二极管电学性能改善方法技术领域.本发明属于宽禁带半导体器件技术领域，具体涉及一种基于自对准工艺的条形沟槽结构gan垂直肖特基二极管电学性能改善方法。背景技术.以氮化镓(gan)为代表的第三代宽禁带半导体材料，凭借其高的临界击穿场强、高的电子饱和漂移速度，正迅速成为高频大功率器件的首选材料。尤其在功率二极管整流器件领域更是具有重要的应用前景，肖特基二极管(sbd)作为一种重要的两端电子元件在检波、混频等电路中具有重要的应用。但是目前存在的一个重要...
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