技术编号:30012442
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。PCT申请表作为本申请的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的PCT申请表中所标识的本申请要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。技术领域本发明涉及用于制造半导体器件的方法和装置。具体而言,本发明的实施方案涉及金属的电沉积,特别是贯穿掩模电镀。背景技术半导体器件制造中的贯穿掩模电镀涉及将金属电沉积到凹陷特征(贯穿掩模的凹陷特征)中,该凹陷特征在凹陷特征的底部具有暴露的导电层。这些衬底中的凹陷特征的侧壁和场区由非导电掩模材料(例如光致抗蚀剂)制成。在电镀期间,半导体...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。