技术编号：3255497
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域，具体地说涉及化学机械研磨(CMP)工艺，更具体地说涉及一种通过固定切割方向来制造高品质细研磨垫的方法、以及采用了该通过固定切割方向来制造高品质细研磨垫的方法的化学机械研磨方法。背景技术在化学机械研磨工艺中，化学机械研磨细磨垫的修整工具(例如Nylon Brush)用于去除研磨垫上的杂质材料，并保持研磨垫表面洁净(新鲜)，从而保持硅片表面薄膜在研磨过程中的去除速度以及研磨速度的平坦度。图1示意性地示出了化学机械研磨设备的结构。如图1...
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