技术编号：3419743
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于硅纳米材料制备，特别涉及一种脉冲激光沉积制备纳米 硅的方法。 背景技术自从1990年，英国科学家Canham首次观测到了纳米多孔Si的室温可见光 发射现象，开辟了 Si基光电子学研究的新方向。十几年来，在材料和器件物理 学家的共同努力下，各类Si基低维纳米材料在光电子器件方面的应用取得了可 喜进展，这些材料主要包括产生光致发射(PL)和电致发射(EL)的零维Si基纳米颗 粒，使光被传导和分解的波导结构，具有光子带隙特征的Si纳米晶体等。应用 器件...
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