技术编号:3419752
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及等离子加工,特别涉及一种基片支承装置及其静电 释放方法。背景技术在等离子加工领域, 一般在真空反应腔室中对基片进行刻蚀或采用化学 气相沉积法在基片表面形成半导体结构。此过程中,通常需要利用基片支承装置例如静电卡盘(Electrostatic Chuck, ESC )将基片固定在真空反应腔室内 特定的工位上,而后将用于刻蚀或沉积的工艺气体通过管路输送到真空反应 腔室之中,同时在真空反应腔室内施加射频电场,将工艺气体激发为等离子 状态而开始工作。目前...
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