技术编号：5012836
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及晶体生长及其所用的装置领域，是一种既能满足晶体生长要求又有较高力学强度的密封坩埚结构，特别是能经得住严厉的力学环境随机和正弦振动的晶体生长安瓿。晶体生长一般都是在坩埚中进行的，生长蒸汽压较高的高纯化合物半导体光电晶体一般都要用密闭坩埚，这一密封坩埚就称之为晶体生长用安瓿。它有两个基本作用，即首先是包容待生长晶体的试料并避免氧化和受到环境污染，其次是引晶作用，在安瓿的尖端处首先生长出一个单晶体，其余的试料继续在这一单晶的晶向基础上成长为一大晶体...
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