技术编号:6758072
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种电子式可程式化可抹除非挥发记忆体,特别是涉及一种具有偏压配置的电荷陷入记忆体,其对读取记忆胞的电荷陷入结构中不同位置的内容有高敏感度。本申请范围主张优先2004年9月9日提出中请的美国专利申请临时案序号60/608,455号。本申请范围也主张优先2004年9月9日提出申请的美国专利申请案临时序号60/608,528号背景技术电子式可程式化可抹除非挥发记忆体的技术是以电荷陷入结构做为基础,例如可电除且可程式只读记忆体(Electrically ...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
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