技术编号:6772013
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路装置,特别涉及即使相邻存储单元间隔窄小也可以降低由于电容耦合而产生的数据紊乱的非易失性半导体存储装置的数据写入方法,以及非易失性半导体存储装置。背景技术 能够将通过隧道型绝缘膜,利用隧道电流由沟道注入至电荷蓄积层处的电荷作为数字比特(二进位数)型信息实施存储,测定与该电荷量相对应的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的电导变化,进而对信息实施读出的非易失性半导体存储装置已经问世。然而随着存储单元的高度集成化,在先技术中非易失...
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