技术编号：6773792
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明通常涉及溅射靶，并且具体涉及由溅射靶溅射的磁性数据存储薄膜，其中所述溅射靶包括具有改良的冶金性能的合金成分。背景技术 在很多领域中都广泛使用DC磁控溅射工艺在衬底上提供具有精确受控厚度和窄的原子分数容限的薄膜材料淀积，例如在磁记录介质的表面上涂覆半导体和/或形成薄膜。在常用的结构中，通过将磁体放置在靶的背面而给溅射靶施加跑道形状的磁场。电子在溅射靶附近被俘获，由此改善了氩离子产量并增加了溅射率。该等离子体中的离子与溅射靶的表面碰撞，使得溅射靶从溅射靶...
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