技术编号:6835808
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及抗蚀图形的形成方法、使用该法的微细图形的形成方法以及液晶显示元件的制造方法。背景技术 在液晶显示元件的液晶阵列基板的制造中,使用利用了光致抗蚀剂被膜的光刻工序。图2~图15是表示制造图16所示的结构的α-Si(无定形二氧化硅)形TFT阵列基板的工序的例子的图。在该例中,首先如图2所示,在玻璃基板1上形成栅电极层2’。接着,在栅电极层2’上形成光致抗蚀剂被膜,通过光刻法使该光致抗蚀剂被膜形成图形,该光刻法包括借助掩膜而选择性进行曝光的工序,如图3所...
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