技术编号：6846365
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体组件，其设置在半导体本体中，在所有情况下都具有第一导电类型的至少一个源区和至少一个漏区，在所有情况下都具有设置在源区和漏区之间的第二导电类型的至少一个本体区，以及具有借助绝缘层相对于半导体本体绝缘的至少一个栅电极。本发明还涉及一种制造半导体组件的方法。背景技术 在广泛的实施例中公知了具有晶体管功能的组件，这些实施例中之一是场效应晶体管(FET)类型。在场效应晶体管的情况下，通过将电压施加到控制电极(栅电极)上来改变电子沟道中的电荷载流子...
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