技术编号:6849848
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电子电路的集成电路设计,尤其涉及一种CMOS图像传感器。背景技术 随着CMOS工艺技术和电路设计技术的发展,CMOS图像传感器的性能得到了较大改善,具体体现在通过采用新工艺和相关双采样电路有效降低了读出噪声,采用微透镜技术提高了填充系数,采用掩埋型光敏二极管以及小尺寸的CMOS工艺有效降低了光电检测器的暗电流。因此,CMOS图像传感器正朝着高分辨率、低噪声、高集成度和宽动态范围的方向发展。然而,目前CMOS图像传感器仍然存在着信噪比小、量子效率低...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。