技术编号:6868877
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。 本申请基于2004年11月15日申请的特愿2004-331136号和2004年12月13日申请的特愿2004-360297号要求优先权,将它们中的内容援用至此。 背景技术 近年来,在半导体元件、液晶显示元件的制造中,因光刻蚀技术的进步而使图案的微细化急速发展。作为微细化的方法,一般进行曝光光源的短波长化。具体地说,以往使用以g射线、i射线为代表的紫外线,现在开始大量生产使用KrF准分子激光、ArF准分子激光的半导体元件。此外,对于比这些准分...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。