技术编号：6891088
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及使用激光切割半导体材料，具体涉及激光切割EFG生成材料。背景技术从熔液中生成成形晶体材料的形状可控晶体生长(EFG)方法是公知的，例如美国专利4937053、5102494和5558712所述。在太阳能电池的制造中使用EFG材料也是公知的，例如美国专利4751191、5698451、5106763和5151377所述。在实践中，EFG法已被用来生成掺杂半导体材料的中空多面体(如掺磷硅八面体)，然后用激光将这些多面体切割成用来制造太阳能电池的矩形晶...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。