隐埋金属体接触结构和制造半导体场效应晶体管器件的方法技术资料下载

技术编号:6911254

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较概括地说,本发明与半导体集成电路器件及这些器件的制作方法有关。更细致地讲,本发明与为提高其性能和缩小其尺寸而带有隐埋金属体接触的SOI(绝缘体上长硅)COMS器件有关。绝缘体上长硅(SOI)是作为高性能VLSI(大规模集成)器件产品中普遍采用的传统体生长技术的替代技术而出现的。这两种技术之间的主要差别在于如何连接晶体管的本体(直接位于CMOS器件栅下方的区域,更细致地说,就是源和漏之间的区域)。在体生长技术中,本体存在于井中或衬底中。因此,在不牺牲面积和...
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