技术编号:6911254
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。较概括地说,本发明与半导体集成电路器件及这些器件的制作方法有关。更细致地讲,本发明与为提高其性能和缩小其尺寸而带有隐埋金属体接触的SOI(绝缘体上长硅)COMS器件有关。绝缘体上长硅(SOI)是作为高性能VLSI(大规模集成)器件产品中普遍采用的传统体生长技术的替代技术而出现的。这两种技术之间的主要差别在于如何连接晶体管的本体(直接位于CMOS器件栅下方的区域,更细致地说,就是源和漏之间的区域)。在体生长技术中,本体存在于井中或衬底中。因此,在不牺牲面积和...
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