技术编号：6911261
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制作过程中的预处理，具体地说，涉及一种在半导体晶片上生长薄膜的蒸发法，通过在处理室内加热晶片之前，于装载室内使晶片预热，能够在薄膜生长阶段减少在晶片处理室内加热的时间，并能提高生产效率及产量。为了能够易于实现表面生长步骤，需得对晶片的整个表面进行均匀加热的步骤。这样的加热步骤决定晶片表面上沉积之表面的均匀性，因而需要严格的操作。以下参照图3描述在半导体晶片上形成薄膜的现有设备的结构。如图3所示，现有设备10包括多个晶片盒11和12，其中容纳...
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