技术编号：6978498
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种厚度抗蚀剂图案的形成方法，用于生产半导体装置、磁头、微型机械等，还涉及所采用的感光树脂组合物。更详细地，本发明涉及一种厚膜抗蚀剂图案的形成方法，其可保持比目前使用的感光树脂组合物更高的敏感性，适用于衬底的腐蚀防护，采用膜厚度为2.0μm或更厚的光致抗蚀剂时，在形成厚膜抗蚀剂图案时显影时间可缩短，本发明还涉及所采用的感光树脂组合物。背景技术 在生产半导体集成电路如LSI，生产热头等的电路衬底等过程的广泛领域中，照相平印术一直被用来形成微型元件或...
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