技术编号：6979990
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光电子器件集成，特别是高成品率、高密度光电子器件的集成。背景技术 图1和图2说明了在先有技术中所采用的附接多个底发射(或探测)器件(也可称做背发射或探测器件)形成集成光电子器件的方法。根据图1的方法，采用传统方式在晶片衬底102上形成了多个激光器，对于多个探测器(这里可交换地指光探测器)，在其自己的或和激光器共同的晶片衬底上，方法也一样。一般来讲，衬底102上最靠近光电子器件106、108与衬底102之间连接的部分104采用对该光电子器件工作波长...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。