技术编号:6987496
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及电路结构以及制造电路的方法,尤其涉及具有晶片通孔结构的静电放电(ESD)电路以及制造方法。背景技术ESD事件就是在大量电流提供给集成电路(IC)时,短期间内电流的放电(正或负)的现象。大电流由各种源所产生,例如,人体。ESD事件通常由高电压电势放电所产生 (通常有好几千伏特),导致短时间内(通常为100纳秒)的高电流(数安培)脉冲。例示地通过人接触IC的引线或带电机械在IC的其它引线内放电,会在IC内产生ESD事件。在集成电路被安装至产品期间...
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