技术编号：6996223
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路制造工艺，尤其涉及临近亚微米小规则Bipolar电路的引线孔制造工艺及其制造方法。背景技术Bipolar电路中引线孔大小由工艺平台的最小线宽决定，引线孔的铝台阶覆盖率是影响集成电路对称性及可靠性的重要指标。3. Oum及以上工艺平台上制造的Bipolar电路，各光刻层次包引线孔规则相对大， 允许横向侵蚀余量相对大，同时引线孔纵宽比相对小，通常采用纯湿法腐蚀工艺，刻蚀后引线孔台阶为大的碗口状(见图1)，溅铝后台阶覆盖良好。1. 5um与2....
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。