技术编号:7015786
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了,该方法包括清洗n型半导体单晶锗片;利用含硫的钝化液对该n型半导体单晶锗片的表面进行钝化;以及在该钝化后的n型半导体单晶锗片表面沉积金属作为源漏接触。本发明提供的制作金属与半导体锗源漏接触的方法,是在金属与n型锗接触之间引入钝化层,使得在n型锗上能实现较低电阻率的接触,能解决采用锗作为沟道材料的器件的源漏问题,从而进一步提高半导体锗MOS器件的性能。专利说明一种制作金属与η型半导体锗源漏接触的方法[0001]本发明涉及半导体集成电路,具体涉及一...
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