技术编号:7040112
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施方案的发光器件包括包括第一导电半导体层、在第一导电半导体层之下的有源层、以及在有源层之下的第二导电半导体层的发光结构;电连接到第一导电半导体层并且布置在发光结构之下的第一电极;电连接到第二导电半导体层并且布置在发光结构之下的第二电极;布置为穿过发光结构并且包括电连接到第一电极的第一区域和与第一导电半导体层的顶表面接触的第二区域的第一接触部;以及布置在第一接触部周围以使第一接触部与第二导电半导体层绝缘的绝缘离子注入层。专利说明发光器件[0001 ]...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。