技术编号:7110445
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种SiC衬底转移石墨烯的退火工艺及制做的器件本发明属于半导体,涉及石墨烯转移到半导体衬底的退火方法,特别是一种基于SiC衬底的退火方法,可通过转移到衬底后的退火改变石墨烯材料的性质。背景技术由摩尔定律统治的集成电路产业在过去的几十年里得到了飞速的发展,以Si为基石的集成电路设计制造业创造了集成密度每18个月翻一翻的神话,为社会发展提供了难以估量的积极贡献。随着Si基工艺的不断进步,以CMOS为设计单元的集成电路设计制造迎来了一个瓶颈时期,摩尔定律的继续受...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。