技术编号：7161433
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。总体来说，本发明涉及半导体器件，具体来说，涉及关于改进的功率半导体器件 (例如，晶体管和二极管)及其制造方法，包括封装和结合有功率半导体器件的电路的各种实施例。背景技术功率半导体器件中的关键部件是固态开关(solid state switch) 0从自动应用中对电池操作的消费电子器件的点火控制，到工业应用中的功率转换，都需要最满足特定应用需要的功率开关。持续发展包括诸如功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率M0SFET)、绝缘栅型双极性晶体管(IGBT)和...
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