技术编号：7205315
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。 背景技术半导体集成电路，尤其是使用金属氧化物半导体(Metal Oxide Semiconductor ； 简称为M0S)晶体管的集成电路，已进入高集成化。随着高集成化，使用于半导体集成电路 中的MOS晶体管已微细化达纳米区域。但随着MOS晶体管的微细化的进展，产生难以抑制 漏电流(leak current)、且为了确保必须的电流量的需求而使得电路的占有面积无法大 幅缩小的问题。为了解决如上所述的问题，已提出有一种使...
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