技术编号:7264680
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种反熔丝结构,包括NMOS晶体管,所述NMOS晶体管中边缘处的沟道长度大于中心处的沟道长度;编程晶体管,所述NMOS晶体管中的源区与所述编程晶体管相连,所述NMOS晶体管中的漏区与编程电源相连。本发明所述反熔丝结构包括一MOS晶体管,所述MOS晶体管中边缘部分的沟道长度大于中心部分的沟道的长度,相应的,所述栅极结构中两端的关键尺寸大于中间部位的关键尺寸,所述反熔丝结构编程时在所述漏区和编程晶体管上施加编程电压后,引发源区和漏区的击穿,形成通路,...
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