技术编号:8020973
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明是申请号为93117079.6、发明名称为“化学汽相沉积过饱和稀土掺杂的半导体层”的发明专利申请的分案申请。本发明涉及利用气相的硅烷或锗烷和稀土元素化合物,在衬底上生产稀土元素掺杂的外延半导体层的CVD方法。通过本方法,产生了单相、稀土元素过饱和的稀土元素掺杂半导体层。本方法可用于制造包括硅衬底和掺铒的外延硅薄膜的光电子器件。近几年来,研究工作集中在实现硅光电子集成电路(OE-ICs)。可应用的领域将是芯片之间的互连、并行处理以及硅芯片上的集成光电子器件。而前面二项应用基本上需要在77K之上工作的光源...
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