技术编号:8186758
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本实用新型涉及一种金属有机化合物汽相沉积(MOCVD)设备,特别是一种适用于生长氧化锌(ZnO)半导体薄膜材料的金属有机化合物汽相沉积设备。背景技术ZnO薄膜作为一种重要的宽禁带半导体材料,其在光电子领域有着很大的应用前景。但要实现氧化锌基器件的应用,生长可控的具有一定载流子浓度的n和p型的高质量的氧化锌晶体薄膜是必须的。ZnO薄膜的生长方法有分子束外延、磁控溅射、激光脉冲沉积和溶胶凝胶等方法。而MOCVD技术是一种重要的化合物半导体外延生长技术,可实现外延层的精确实时掺杂,成本适中,可用于工业化生产。目前...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。