基于Metal/Insulator/AlGaN/GaN叠层MIS结构的负微分电阻器件及制备方法技术资料下载

技术编号:8283758

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转移电子器件(TED)为基于电子在固体中能谷间转移而制成的器件。只有在导带中存在多个能谷、电子在各能谷中的行为特性各异,以及在一定外部条件下发生显著的电子转移的固体材料才能制作这类器件,砷化镓(GaAs)和磷化铟(INP)就属这种材料。GaAs的导带底在波矢(0,O, O)处,在这个极值附近(极值称能谷),电子的有效质量约为0.066m。,mQ为自由电子的静止质量。GaAs的导带在(1,O, O)波矢方向上还有六个次级小值,即六个子能谷,它们比中心能谷约高...
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