技术编号:8302918
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 TFT中使用的无定形(非晶质)氧化物半导体与通用的无定形硅(a-Si)相比具有 高载流子迀移率,光学带隙大,能够在低温下成膜。因此,期待应用于要求大型、高分辨率、 高速驱动的下一代显示器、耐热性低的树脂基板等。作为适合这些用途的氧化物半导体的 组成,提出了例如含有In的非晶质氧化物半导体。 在形成上述氧化物半导体(膜)时,适当地采用对与该膜相同材料的溅射靶(以 下,有时称为"靶材")进行溅射的溅射法。对于溅射法而言,为了作为制品的薄膜的特性的 稳定化、制...
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