技术编号：8337705
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。由表面电荷积聚引起的偏置漂移是出现在各式各样半导体装置中的众所周知现象及普遍失效模式。该失效机制涉及装置表面电荷积聚，这种装置表面电荷积聚驱动电荷反型层的形成。该反型层会危害经电气隔离的接线状态。电荷反型层的增长允许寄生电流经外延层泄漏，导致感测元件的偏置漂移。正如许多其他类型的装置一样，压力感测元件也受到这种现象影响。对包括场屏蔽件的压力感测元件的现有设计易受表面电荷积聚的影响，并出现因感测元件充电引起的严重偏置漂移。当被布置于油封包装组件和应用场合中时...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。