技术编号:8406068
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 随着大功率LED的发展,对所用绝缘基板材料提出了更高的要求,传统采用的氧 化侣陶瓷基板由于热导率低,越来越难W胜任大功率小型化的封装要求。氮化侣陶瓷材料 由于具有较高的热导率,在大功率led封装中有着独特的优势。然而,由于目前用于制备氮 化侣陶瓷基板的原料粉体通常为进口氮化侣粉体,W直接氮化法(东洋侣业)和碳热还原法 (德山曹达)为主,而国产氮化侣粉体往往采用自蔓延高温合成方法制备,因此,将自蔓延高 温合成氮化侣粉体烧结成高导热的氮化侣陶瓷,从而满足大功...
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