技术编号:8906706
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及去除硅材料中金属杂质的方法,特别涉及一种在室温而非高温的条件 下去除硅材料中的金属杂质的方法。背景技术 硅单晶中都含有如铁、镍、铬、锂和铝等微量金属杂质,且器件在制备过程中不可 避免地受到各种金属杂质不同程度的沾污。这些杂质的存在,会降低非平衡载流子寿命或 补偿决定材料导电类型和导电率的浅杂质,对硅器件的性能有不利影响,有的影响还很严 重。例如,在大规模集成电路、太阳能电池、光电探测器等硅器件工艺中要尽量降低过渡金 属杂质含量,通常采用吸杂技术...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。