技术编号:9257000
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。氮化铝具有高的热导率,其理论值约为320W/m.K,接近BeO和SiC,是A1203陶瓷的5倍以上,低的介电常数与介质损耗,体积电阻率高,介电强度优良,其机械性能好,抗弯强度远高于BeO陶瓷,且具有无毒等特点。使其作为理想的大规模集成电路的散热基板和封装材料。目前,由于高的原材料价格以及高的烧结成本等限制了其广泛应用。关于制备高导热氮化铝的方法,中国专利CN 102898141A公开了一种高导热氮化铝陶瓷异形件的制备方法,其特点是采用凝胶注模的方法成形,采...
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