技术编号:9321181
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及;特别涉及一种砸硫化锑薄膜材料及其制备方法,属于新能源材料制备。背景技术目前,环境污染和能源危机已经称为国际共识,太阳能作为一种取之不尽用之不竭的绿色清洁能源逐渐成为研究的热点,随之也带来了光伏产业的加速发展。同时随着薄膜产业的飞速发展,薄膜科学技术与薄膜材料在材料学领域内成为研究的热点。第二代化合物薄膜太阳电池因其节省原料、制备能耗低、理论转换效率较高而引起研究领域的关注,当前的化合物薄膜太阳电池主要是铜铟镓砸(CIGS)和碲化镉(CdTe)太...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。