技术编号：9328608
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。对蚀刻或沉积的控制增加晶片产量、节约成本、并减少蚀刻晶片上的材料的时间或沉积材料到晶片上的时间。然而，控制蚀刻或沉积是困难的。正是在这样的背景下，提出了本公开中所描述的实施方式。发明内容本公开涉及用于软脉冲调制的系统和方法。在多种实施方式中，其中的一种方法包括减小等离子体的阻抗相对于时间的变化率，例如，减少了 dZ/dt的，其中Z是等离子体阻抗，而t是时间，等等。阻抗的变化率突然增加或减少导致等离子体的不稳定性，该不稳定性导致对蚀刻工件或在工件上沉积材料缺...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。